產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
STZ-8型半導體導電型號鑒別儀
是為了鑒別硅單晶材料的導電類型 “P”和 “N”的測量儀器,是采用溫差效應和整流效應兩種方法相結合綜合性的測量導電型號儀器,測量范圍廣硅材料電阻率從10-4~103Ω?cm,儀器采用高靈敏度放大電路和判別電路，將材料上的微弱信號放大，并用 “P” “N”數(shù)碼直接顯示，儀器采用手持式四探然探頭，使用簡單，操作方便，且壽命長，適合半導體材料廠、器件廠和科研部門需要。
詳情介紹：
STZ-8型半導體導電型號鑒別儀
STZ—8型半導體導電型號鑒別儀是為了鑒別硅單晶材料的導電類型“P”和 “N”的測量儀器,是采用溫差效應和整流效應兩種方法相結合綜合性的測量導電型號儀器,測量范圍廣硅材料電阻率從10-4~103Ω•cm,儀器采用高靈敏度放大電路和判別電路，將材料上的微弱信號放大，并用 “P” “N”數(shù)碼直接顯示，儀器采用手持式四探然探頭，使用簡單，操作方便，且壽命長，適合半導體材料廠、器件廠和科研部門需要。
用作太陽能多晶材料分選時,采用整流法,對<0.1Ω-cm的材料具有聲光報警功能,廣泛應用于太陽能電池生產(chǎn)的原材料篩選環(huán)節(jié),快速高效。
主要技術指標：
1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω•cm
溫差法：10-4~10Ω•cm
整流法：10~103Ω•cm，并對<0.1Ω•cm的材料具有聲光報警功能。
2． 可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測試探頭：手持式探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260
